[发明专利]具有双磁矩的磁性元件有效
| 申请号： | 201210122931.X | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102760445A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | M·W·科温顿;Q·何;T·R·布恩斯塔 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/187 | 分类号： | G11B5/187 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有双磁矩的磁性元件。可使用装置和相关联的方法来提供能检测磁状态变化的数据感测元件。本发明的各实施例一般涉及磁性响应的层的迭片和用于产生邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双磁矩 磁性 元件 | ||
【主权项】：
数据感测元件，包括：磁性响应的层的迭片；以及用于产生邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域的装置。
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