[发明专利]一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法有效
| 申请号： | 201210123065.6 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102644106A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈华;田达晰;李慎重;王震;梁兴勃 | 申请（专利权）人： | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 315800 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，包括以下步骤：将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面；将上部石英圆盖安装在基座上，上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装，即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近；通入反应气体，反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅，形成外延。本发明解决沿着气流方向硅源浓度越来越少导致生长速率不断下降的问题，消除了外延层厚度沿硅片径向分布成特殊的“W”形，极大提高外延片产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 外延 厚度 均匀 生长 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面；(2)将上部石英圆盖安装在基座上，上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装，即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近；(3)通入反应气体，反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅，形成外延。
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