[发明专利]发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201210123657.8 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103378226A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 罗杏芬 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一电极及与第一电极绝缘的第二电极；在基板上固定发光二极管芯片，使发光二极管芯片与第一电极及第二电极电连接；固定该发光二极管芯片后，在基板上设置一阻挡层，该阻挡层具有遮挡部和沟槽，该遮挡部覆盖该发光二极管芯片，该沟槽设于基板位于发光二极管芯片周边位置的上方，往沟槽注入胶质流体材料，该流体材料固化后移除该阻挡层，形成反射层；以及在发光二极管芯片上覆盖封装材料。由于该反射层是在固定发光二极管芯片之后再制作，则可以避免制作反射层时由于流体材料容易渗入至第一电极与第二电极上而影响打线过程的情况出现。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制造方法，包括：提供基板，该基板包括第一电极及与第一电极绝缘的第二电极；在基板上固定发光二极管芯片，使发光二极管芯片与第一电极及第二电极电连接；固定该发光二极管芯片后，在基板上设置一阻挡层，该阻挡层具有遮挡部和沟槽，该遮挡部覆盖该发光二极管芯片，该沟槽设于基板位于发光二极管芯片周边位置的上方，往沟槽注入胶质流体材料，该流体材料固化后移除该阻挡层，形成反射层；以及在发光二极管芯片上覆盖封装材料。
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