[发明专利]晶体生长加热系统有效
| 申请号： | 201210124235.2 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103374758A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 扈醒华;赖宗德;江鸿昭 | 申请（专利权）人： | 志圣科技(广州)有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;G05D23/30 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 510850 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热，其包含一上加热装置、一温度感测器、一第一控制器、一侧加热装置及一第二控制器。温度感测器用以感测上加热装置的温度并产生一感测信号。第一控制器存储有一默认温度值，并根据感测信号调整上加热装置的温度趋近默认温度值。第二控制器接收一外部控制信号，并根据外部控制信号调整侧加热装置的温度。借由第二控制器根据外部控制信号调整侧加热装置的温度，并借由第一控制器根据感测信号调整上加热装置的温度，能有效提升晶体生长的良率及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 加热 系统 | ||
【主权项】：
一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热；其特征在于：所述晶体生长加热系统包含：一上加热装置，设置于该坩埚上方以对该半导体材料加热；一温度感测器，用以感测该上加热装置的温度并产生一感测信号；一第一控制器，电连接于该上加热装置及该温度感测器，且存储有一默认温度值，并根据该感测信号调整该上加热装置的温度趋近该默认温度值；一侧加热装置，设置于该坩埚的一围绕壁外侧以对该半导体材料加热；及一第二控制器，电连接于该侧加热装置，且接收一外部控制信号，并根据该外部控制信号调整该侧加热装置的温度。
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