[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法无效
申请号: | 201210124587.8 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102646693A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 饶金华;张克云;吴小利 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种CMOS图像传感器及其形成方法,形成CMOS图像传感器的方法,包括:提供衬底;对所述衬底进行第一离子注入,在所述浮置扩散区所在的区域形成阱区;在所述衬底上形成传输晶体管的栅介质层和栅极,所述栅介质层位于所述栅极和所述衬底之间,所述阱区位于所述栅极一侧,且所述阱区与所述栅极没有叠置部分;对所述衬底进行第二离子注入,在所述衬底中、所述栅极与所述阱区相对的一侧形成第一掺杂区;在所述栅极周围形成侧墙;形成侧墙后,对所述阱区进行第三离子注入,在所述阱区中形成第二掺杂区。本技术方案可以提高光生电子的传输效率,节约掩膜板,降低产品成本,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成CMOS图像传感器的方法,所述CMOS图像传感器包括浮置扩散区、传输晶体管、感光二极管,其特征在于,包括:提供衬底;对所述衬底进行第一离子注入,在所述浮置扩散区所在的区域形成阱区;在所述衬底上形成传输晶体管的栅介质层和栅极,所述栅介质层位于所述栅极和所述衬底之间,所述阱区位于所述栅极一侧,且所述阱区与所述栅极没有叠置部分;对所述衬底进行第二离子注入,在所述衬底中、所述栅极与所述阱区相对的一侧形成第一掺杂区;在所述栅极周围形成侧墙;形成侧墙后,对所述阱区进行第三离子注入,在所述阱区中形成第二掺杂区;所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相同,所述阱区的掺杂类型与所述第一掺杂区、第二掺杂区的掺杂类型相反,所述第一掺杂区作为传输晶体管的漏极,所述第二掺杂区作为所述传输晶体管的源极;所述浮置扩散区包括所述阱区和所述第二掺杂区,所述感光二极管包括所述第一掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的