[发明专利]具有减小的屏蔽层到屏蔽层间隔的磁性元件有效
| 申请号： | 201210124673.9 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760447B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | V·B·萨波日尼科夫;E·W·辛格尔顿;M·W·科温顿 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/245 | 分类号： | G11B5/245;G11B5/187 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有减小的屏蔽层到屏蔽层间隔的磁性元件。磁性元件包括具有通过间隔层与合成反铁磁(SAF)层分开且通过空气轴承表面(ABS)与存储在相邻介质中的感测数据位分开的铁磁自由层的磁响应叠片。该叠片耦合到离ABS有一预定偏距的至少一个反铁磁(AFM)调整片。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 屏蔽 间隔 磁性 元件 | ||
【主权项】：
一种磁性叠层，包括：具有均匀叠片厚度的磁响应叠片，该磁响应叠片包括通过隧道结与合成反铁磁(SAF)层分开且通过空气轴承表面(ABS)与存储在相邻介质中的感测数据位分开的铁磁自由层；以及结合到所述磁响应叠片中的至少一个反铁磁(AFM)调整片，该AFM调整片直接耦合到所述SAF层离所述ABS有一预定偏距，其中，所述AFM调整片具有第一厚度，而所述SAF层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，其中，所述AFM调整片所具有的第一厚度与所述隧道结和所述铁磁自由层的组合厚度相匹配。
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