[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。

主权项

一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，是倒装片型的氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述倒装片型的氮化物半导体发光元件具有：具备层叠于基板上层的n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层、以及在所述基板的相同平面侧使所述n型氮化物半导体层与n侧电极连接的n侧电极连接面和使所述p型氮化物半导体层与p侧电极连接的p侧电极连接面的氮化物半导体发光元件结构，与所述n侧电极连接面连接的所述n侧电极，与所述p侧电极连接面连接的所述p侧电极，和形成于所述n侧电极上和所述p侧电极上的金属凸块；所述制造方法依次进行如下工序：保护层形成工序，在所述氮化物半导体发光元件结构上形成绝缘性的保护层，第1抗蚀图形形成工序，在所述n侧电极连接面上和所述p侧电极连接面上形成具有开口部的第1抗蚀图形，保护层蚀刻工序，将所述第1抗蚀图形作为掩蔽，蚀刻所述保护层而露出所述n侧电极连接面和所述p侧电极连接面，第1金属层形成工序，在所述n侧电极连接面上、所述p侧电极连接面上和所述第1抗蚀图形上形成成为所述n侧电极和所述p侧电极的第1金属层，第2抗蚀图形形成工序，在所述第1抗蚀图形的开口部上形成具有开口部的第2抗蚀图形，第2金属层形成工序，将所述第1金属层作为电镀的电极，通过电镀形成成为所述金属凸块的第2金属层，抗蚀图形除去工序，除去所述第1抗蚀图形和所述第2抗蚀图形。