[发明专利]用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法

摘要

公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后优化生成的FinFET结构。在验证和输出FinFET布局之前可以生成伪图案和新金属层。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。

主权项

一种生成包括FinFET结构布局的集成电路(IC)设计的方法，所述方法包括：接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域和多个平面接触件，每个平面接触件都与平面有源区域相关联；限定多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域与平面有源区域相对应；确定所述多个FinFET有源区域中的至少一个是否小于对应的平面有源区域；确定所述多个平面接触件中的至少一个没有与对应的FinFET有源区域充分接触；以及创建包括金属线的金属层，以将所述多个平面接触件中的至少一个连接至对应FinFET有源区域的部分。