[发明专利]原子层沉积设备、密封方法和用于沉积的喷嘴组有效
申请号: | 201210127050.7 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN102851648A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 金胜勋;徐祥准;金镇圹;千峻赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种原子层沉积设备、一种使用该原子层沉积设备密封有机发光装置的方法以及一种用于沉积的喷嘴组。在一个实施例中,该原子层沉积设备改进了吹扫气体注射喷嘴的结构,从而提高原子层沉积工艺中的吹扫气体的排出效率,这提高了吹扫工艺的速度。因此,当通过使用该原子层沉积设备来实施用于密封有机发光装置的密封工艺时,可以提高沉积速度和密封膜的质量。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 设备 密封 方法 用于 喷嘴 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积设备,所述原子层沉积设备包括:反应室;基底支撑件,安装在反应室的内部以支撑基底;以及喷头,包括被构造成将第一源气体、第二源气体和吹扫气体注射到基底上的一个或多个喷嘴组,其中,喷头设置在基底支撑件的上方,其中,基底支撑件和喷头中的至少一个被安装成沿第一方向移动,所述一个或多个喷嘴组中的每个包括被构造成沉积第一源气体的第一部分喷嘴组和被构造成沉积第二源气体的第二部分喷嘴组,第一部分喷嘴组包括第一源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔,第二部分喷嘴组包括第二源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔,第一源气体注射喷嘴、第二源气体注射喷嘴、吹扫气体注射喷嘴和吹扫气体排出孔中的每个沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸,其中,吹扫气体注射喷嘴具有向吹扫气体排出孔倾斜的斜坡。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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