[发明专利]用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构

摘要

用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构，涉及一种备用电源。设有3个与外部连接的端口，4个MOS场效应晶体管M1、M2、M3、M4，1个电感L，3个电容C1、C2、Cout，1个电流采样电阻Rs和7个节点1、2、3、4、5、6、7；3个与外部连接的端口为输入端口Vin、输出端口Vout和BAT端口，输入端口Vin与外部适配器或USB的输出相连，所述输出端口Vout与外部用电设备的电源输入相连，所述BAT端口外接可充电电池的正极。所述M1可由二极管替代。克服了线性充电效率低、无法实现快速充电以及“后备电源”的系统板制造费用昂贵且无法实现小型化的弊端。

主权项

用单电感实现同步降压充电与升压供电的电路架构，其特征在于设有3个与外部连接的端口，4个MOS场效应晶体管M1、M2、M3、M4，1个电感L，3个电容C1、C2、Cout，1个电流采样电阻Rs和7个节点1、2、3、4、5、6、7；所述3个与外部连接的端口为输入端口Vin、输出端口Vout和BAT端口，所述输入端口Vin与外部适配器或USB的输出相连，所述输出端口Vout与外部用电设备的电源输入相连，所述BAT端口外接可充电电池的正极；所述MOS场效应晶体管M1的漏极接节点5，MOS场效应晶体管M1的源极接节点1，MOS场效应晶体管M1的栅极接节点G1，所述节点G1外接控制电路；所述MOS场效应晶体管M2的漏极接节点7，MOS场效应晶体管M2的源极接节点1，MOS场效应晶体管M2的栅极接节点G2，所述节点G2外接控制电路；所述MOS场效应晶体管M3的漏极接节点2，MOS场效应晶体管M3的源极接节点1，MOS场效应晶体管M3的栅极外接控制电路；所述MOS场效应晶体管M4的漏极接节点2，MOS场效应晶体管M4的源极接节点4，MOS场效应晶体管M4的栅极外接控制电路；在节点1和节点G1之间设有电阻R1，在节点1和节点G2之间设有电阻R2；所述电流采样电阻Rs的两端分别与节点3和节点6相连；所述电容C1的正极接节点1，电容C1的负极接节点4；所述电容C2的正极接节点3，电容C2的负极接节点4；所述电容Cout的正端接节点7，电容Cout的负端接节点4；所述电感L的两端分别接节点2和节点3。