[发明专利]一种清洗雾化喷射装置有效
| 申请号： | 201210127692.7 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102641865A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘效岩;吴仪;初国超;刘海晓 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B05B17/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片工艺技术领域，特别涉及一种清洗雾化喷射装置。该清洗雾化喷射装置，包括：上壳体、与上壳体连接的下壳体；上壳体为二阶圆筒状，包括第一阶壳体和第二阶壳体，第一阶壳体的横截面积小于第二阶壳体的横截面积；第一阶壳体设有可与功率放大器连接的电缆接头，第二阶壳体中设有换能器；下壳体的两侧壁设有通气孔隙，下壳体的中心位置设有雾化喷射通孔，通气孔隙与雾化喷射通孔相通且具有夹角。本发明提供的清洗雾化喷射装置，结构简单，集成度高，可有效实现喷射超微雾化液滴，在不损伤晶片表面图案的前提下，对晶片进行有效清洗，并最大程度的节约水资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 雾化 喷射 装置 | ||
【主权项】：
一种清洗雾化喷射装置，其特征在于，包括：上壳体、与上壳体连接的下壳体；所述上壳体为二阶圆筒状，包括第一阶壳体和第二阶壳体，第一阶壳体的横截面积小于第二阶壳体的横截面积，所述第二阶壳体中设有换能器；所述下壳体的两侧壁设有第二通气孔，所述下壳体的中心位置设有雾化喷射通孔，所述第二通气孔与雾化喷射通孔相通且具有夹角。
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