[发明专利]NPN异质结双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种NPN异质结双极晶体管及其制造方法，由应力硅锗作为基极区，并只在集电极引出端与基极引出端之间形成浅沟槽隔离，与现有技术相比减少了形成P阱的P型离子注入和形成深N阱的N型离子注入，且由于应力硅锗可增加NPN晶体管的性能，并可与现有CMOS工艺相匹配，因此，在减少工艺流程步骤，节约成本的同时，提高了异质结双极晶体管的器件性能。

主权项

一种NPN异质结双极晶体管的制造方法，包括：提供定义有有源区的半导体衬底；在所述有源区预先定义集电极区、基极区、发射极区，所述发射极区位于所述基极区之上，所述基极区位于所述集电极区之上；在所述预先定义的集电极区位于所述半导体衬底表面处定义集电极引出端位置，并在所述预先定义的基极区位于所述半导体衬底表面处定义基极引出端位置，并对有源区进行N型离子注入，以在有源区形成N阱区；在所述预先定义的集电极引出端与基极引出端之间的所述有源区中形成浅沟槽隔离；对所述预先定义的基极区和发射极区进行刻蚀以形成凹槽；在所述凹槽内填充应力硅锗，以形成基极区；对所述预先定义的集电极引出端和发射极区进行N型高掺杂离子注入以形成集电极引出端和发射极区，对所述预先定义的基极引出端进行P型高掺杂离子注入以形成基区电极引出端。