[发明专利]一种CMOS FinFET器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种CMOS FinFET器件以及用于制造CMOS FinFET器件的方法。示例性CMOS FinFET器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。CMOS FinFET器件还包括设置在所述衬底上的鳍式结构，该鳍式结构包括第一区域中的第一鳍状件和第二区域中的第二鳍状件。CMOS FinFET器件还包括第一鳍状件的第一部分和第一鳍状件的第二部分，该第一鳍状件的第一部分包含与衬底的材料相同的材料，该第一鳍状件的第二部分包括沉积在所述第一鳍状件的第一部分上的III-V半导体材料。CMOS FinFET器件还包括第二鳍状件的第一部分和第二鳍状件的第二部分，该第二鳍状件的第一部分包括与所述衬底的材料相同的材料，第二鳍状件的第二部分包括沉积在所述第二鳍状件的第一部分上的锗(Ge)材料。

主权项

一种CMOS FinFET器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；鳍式结构，设置在所述衬底上，所述鳍式结构包括在所述第一区域中的第一鳍状件和在所述第二区域中的第二鳍状件；绝缘材料，设置在所述衬底上以及在所述第一鳍状件和第二鳍状件之间；所述第一鳍状件的第一部分，包含与所述衬底的材料相同的材料；所述第一鳍状件的第二部分，包含沉积在所述第一鳍状件的所述第一部分上的III‑V半导体材料；所述第二鳍状件的第一部分，包含与所述衬底的材料相同的材料；所述第二鳍状件的第二部分，包含沉积在所述第二鳍状件的所述第一部分上的锗(Ge)材料；以及栅极结构，设置在包括所述III‑V半导体材料的第一鳍状件的中心部分上、用于隔离所述CMOS FinFET器件的N型金属氧化物半导体(NMOS)鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的源极区和漏极区，以及设置在包括所述Ge材料的第二鳍状件的中心部分上、用于隔离CMOS FinFET器件的P型金属氧化物半导体(PMOS)鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的源极区和漏极区；其中所述NMOS器件的源极区和漏极区限定它们之间的NMOS器件的沟道区；以及其中所述PMOS器件的源极区和漏极区限定它们之间的PMOS器件的沟道区。