[发明专利]非易失性半导体存储器及其数据的读取方法有效
| 申请号： | 201210129288.3 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137192A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 神永雄大;矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可高速进行数据读取的非易失性半导体存储器及其读取方法，该非易失性半导体存储器包括：存储器阵列，包括多个存储单元；页缓冲存储器，保持从存储器阵列中的根据地址信息而选择页所传输的数据；以及数据寄存器，其根据时脉信号，可将从页缓冲存储器接收到的数据串联地输出。存储器阵列包含第一及第二记忆层，第一及第二记忆层的所选择页的数据被同时传输到页缓冲存储器中。数据读取包括：在从数据寄存器输出第一记忆层的第一页数据的期间，将第二记忆层的第二页数据从页缓冲存储器传输到数据寄存器中，在从数据寄存器输出第二记忆层的第二页数据的期间，将第一记忆层的第二页数据从页缓冲存储器传输到数据寄存器中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 及其 数据 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器的数据读取方法，该非易失性半导体存储器包括：存储器阵列，包含多个存储单元；页缓冲存储器，保持从所述存储器阵列中的根据地址信息而选择页所传输的数据；以及数据寄存器，从所述页缓冲存储器接收数据，并且根据时脉信号，将接收的所述数据串列地输出，其中所述存储器阵列包含至少第一及第二记忆层，所述至少第一及第二记忆层的所选择页的数据同时传输到所述页缓冲存储器，所述在非易失性半导体存储器的数据读取方法包括：在从所述数据寄存器输出所述第一记忆层的第一页的数据的期间，将所述第二记忆层的第二页的数据从所述页缓冲存储器传输到所述数据寄存器；以及在从所述数据寄存器输出所述第二记忆层的所述第二页的数据的期间，将所述第一记忆层的所述第二页的数据从所述页缓冲存储器传输到所述数据寄存器。
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