[发明专利]穿硅通孔及其制作方法有效
| 申请号： | 201210129959.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103311198A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 邱钰珊;苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种穿硅通孔，其包括一绝缘层，连续的加衬在一凹入过孔结构的一侧壁上；一阻障层，连续的覆盖着该绝缘层；一不连续晶种层，其具有一第一部位，位于该凹入导孔结构的一端开口处；一不连续介电层，其部分地覆盖住该凹入过孔结构的该侧壁；以及一导电层，填入该凹入过孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种穿硅通孔，其特征在于，包含：绝缘层，连续的衬在凹入过孔结构的侧壁上；阻障层，连续的覆盖着所述绝缘层；不连续晶种层，包含第一部位，位于所述凹入过孔结构的一端开口处；不连续介电层，部分覆盖住所述凹入过孔结构的侧壁；以及导电层，填入所述凹入过孔结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210129959.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装件及其形成方法
- 下一篇：缺陷检查方法
