[发明专利]二硫化钼氮化钛复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210132036.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102658688A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 甄洪宾 | 申请（专利权）人： | 赛屋（天津）涂层技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 王来佳 |
| 地址： | 300308 天津市东丽区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二硫化钼氮化钛复合薄膜，其复合薄膜由下至上分别包括钛的扩散过渡层、氮化钛支持层以及二硫化钼氮化钛复合层，钛的扩散过渡层的厚度为250～1300nm，氮化钛支持层的厚度为500～800nm，二硫化钼氮化钛复合层的厚度为1000～1800nm。本发明结构简单、设计科学合理、制作简单、成本较低，而且本类金刚石薄膜制备方法得到的类金刚石薄膜结合力强、韧性好、密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 氮化 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼氮化钛复合薄膜，其特征在于：该复合薄膜由下至上分别包括钛的扩散过渡层、氮化钛支持层以及二硫化钼氮化钛复合层，钛的扩散过渡层的厚度为250～1300nm，氮化钛支持层的厚度为500～800nm，二硫化钼氮化钛复合层的厚度为1000～1800nm。
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