[发明专利]半导体多级台阶结构的制作方法无效
| 申请号： | 201210132337.9 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102642806A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 薛维佳;陈健;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体多级台阶结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上形成阻挡层；图案化所述阻挡层；以图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶面和阶梯顶面；去除图案化的阻挡层；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一级台阶面及阶梯顶面；以所述第一保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶及第二级台阶；去除所述第一保护层。通过该制作方法，能够简单、可靠地形成半导体多级台阶结构，从而实现MEMS技术应用到光学领域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 多级 台阶 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体多级台阶结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成阻挡层；图案化所述阻挡层；以图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶面和阶梯顶面；去除图案化的阻挡层；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一级台阶面及阶梯顶面；以所述第一保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶及第二级台阶；去除所述第一保护层。
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