[发明专利]采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造有效
| 申请号： | 201210133069.2 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103199062A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 柯俊宏;陈志辉;王世维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了制造半导体器件的方法，该半导体器件包括金属栅极晶体管和电阻器。一种方法包括：提供衬底，该衬底包括晶体管器件区和隔离区；在晶体管器件区上方形成伪栅极以及在隔离区上方形成电阻器；以及用掺杂剂注入电阻器。该方法还包括：湿法蚀刻伪栅极以去除伪栅极；以及然后在晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换伪栅极。本发明提供了采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 栅极 去除 集成电路 电阻器 制造 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括晶体管器件区和隔离区；在所述晶体管器件区上方形成伪栅极以及在所述隔离区上方形成电阻器；用掺杂剂注入所述电阻器；湿法蚀刻所述伪栅极以去除所述伪栅极；以及在所述晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换所述伪栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
