[发明专利]栅极半导体器件的替换有效
| 申请号： | 201210133099.3 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021949B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李达元;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人： | 陆鑫,房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，该方法包括提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底。介电层形成在该衬底上。蚀刻停止层形成在第一开口中的介电层上。然后，将功函层形成在蚀刻停止层上并且将填充金属设置在该功函层上以填充第一开口。本发明还提供了一种栅极半导体器件的替换。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 半导体器件 替换 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底；在所述衬底上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上沉积功函层；以及将所述功函层从所述第二开口中去除；在所述第二开口中的所述蚀刻停止层上形成第二功函层，在所述第一开口中的所述功函层上形成所述第二功函层；所述功函层直接与所述蚀刻停止层相接合；所述栅极介电层直接与所述蚀刻停止层相接合；在所述第二功函层上形成填充金属，其中，所述填充金属填充了所述第一开口和所述第二开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
