[发明专利]硅通孔及其填充方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔，由完全填充于深沟槽或孔中的原位掺杂的P型无定形硅、钛和氮化钛层和钨层组成，钛和氮化钛层位于钨层和P型无定形硅之间并作为钨层的粘附层和阻挡层，P型无定形硅作为缓冲层用于缓解钨层和硅片之间的应力。本发明公开了一种硅通孔填充方法。本发明能够缓解钨层或硅片之间的应力，减少硅片的翘曲度，同时还能保证硅通孔和硅片衬底实现良好的接触。

主权项

一种硅通孔，其特征在于，硅通孔包括：深沟槽或孔，所述深沟槽或孔由硅片上的硅被刻蚀后形成；原位掺杂的P型无定形硅，该P型无定形硅填充于所述深沟槽或孔中并直接和所述深沟槽或孔的侧壁的硅相接触；钛和氮化钛层，该钛和氮化钛层填充于所述深沟槽或孔中并直接和所述P型无定形硅的相接触；钨层，该钨层填充于所述深沟槽或孔中并直接和所述钛和氮化钛层的相接触；所述钨层、所述钛和氮化钛层和所述P型无定形硅将所述深沟槽或孔完全填充，所述钛和氮化钛层位于所述钨层和所述P型无定形硅之间并作为所述钨层的粘附层和阻挡层，所述P型无定形硅作为缓冲层用于缓解所述钨层和所述硅片之间的应力。