[发明专利]具有二极管搭接的热辅助闪存及其操作和制造方法有效
申请号: | 201210133486.7 | 申请日: | 2012-05-02 |
公开(公告)号: | CN102856326A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 吕函庭;洪俊雄;郭明昌 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有二极管搭接的热辅助闪存及其操作和制造方法,该存储器包括一阵列的存储器单元,其包括数行与数列;存储器包括电路,其耦接至字线,施加一第一偏压至于阵列中的一或多条字线上的一第一组隔开的位置,同时施加一不同于第一偏压的第二偏压至字线上的一第二组隔开的位置,在第一组隔开的位置中的位置是穿插在第二组隔开的位置中的位置之间,藉以使电流被引发在第一与第二组的位置之间,其导致字线的加热。 | ||
搜索关键词: | 具有 二极管 辅助 闪存 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种于一集成电路上的存储器,包括:一阵列的存储器单元,多条字线及多条位线,耦接至该阵列中的多个存储器单元;至少一对的导体,该至少一对包括一第一导体及一第二导体;一个二极管搭接电路,耦接至该多条字线中的一特定字线,该特定字线是透过该多条字线,于一第一组隔开的位置耦接至该第一导体,并于一第二组隔开的位置耦接至该第二导体,且在该第二组隔开的位置中的多个位置为在该第一组之间的穿插位置;及电路,用于施加偏压至该至少一对的导体,其在该第一与第二组隔开的位置中的该多个位置之间,于该特定字线中引发电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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