[发明专利]栅极结构及形成方法、半导体结构及形成方法有效
| 申请号： | 201210133627.5 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378134A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极结构及形成方法，具有所述栅极结构的半导体结构及形成方法，所述栅极结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述半导体衬底表面的栅氧化层和位于所述栅氧化层表面的多晶硅栅；对所述堆叠结构的顶部和侧壁表面进行碳离子注入；对所述堆叠结构的顶部和侧壁表面进行氮离子注入；在所述堆叠结构的顶部和侧壁表面形成第一氧化硅层。由于注入到所述多晶硅栅的氮离子、碳离子会充当杂质陷阱，抑制了多晶硅栅靠近表面的杂质离子的增强扩散效应，使得多晶硅栅靠近表面的杂质离子的掺杂浓度与多晶硅栅内部的杂质离子的掺杂浓度大致相同，所述多晶硅栅的电阻不会提高。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 形成 方法 半导体 | ||
【主权项】：
一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述半导体衬底表面的栅氧化层和位于所述栅氧化层表面的多晶硅栅；对所述堆叠结构的顶部和侧壁表面进行碳离子注入；对所述堆叠结构的顶部和侧壁表面进行氮离子注入；在所述堆叠结构的顶部和侧壁表面形成第一氧化硅层。
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