[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装有效
| 申请号： | 201210135243.7 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN102881786B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 元钟学 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种发光器件。该发光器件包括有源层，该有源层包括多个阱层和多个势垒层。多个势垒层包括第一势垒层，距离第二导电类型半导体层最近，第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近第一势垒层，第二势垒层具有第三带隙；以及至少一个第三势垒层，位于第二势垒层和第一导电类型半导体层之间并具有第一带隙。多个阱层包括第一阱层，位于第一势垒层和第二势垒层之间，第一阱层具有第二带隙；以及第二阱层，位于第二势垒层和至少一个第三势垒层之间。第二势垒层设置在第一阱层和第二阱层之间，并且第三带隙比第一带隙窄而比第二带隙宽。本发明的有源层的内部量子效率得以提高。因而，可以改善从有源层发出的光的色彩纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层，所述第二势垒层具有第三带隙；以及第三势垒层，所述第三势垒层位于所述第二势垒层和所述第一导电类型半导体层之间并具有第一带隙；所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第二带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层和所述第三势垒层之间；所述第二势垒层设置在所述第一阱层和所述第二阱层之间，以及所述第三带隙比所述第一带隙窄而比所述第二带隙宽，其中，所述第二势垒层的厚度比所述第一势垒层和所述第三势垒层的厚度薄。
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