[发明专利]发光二极管的电极接触结构无效
申请号: | 201210135570.2 | 申请日: | 2012-05-03 |
公开(公告)号: | CN103383982A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 周理评;陈复邦;张智松 | 申请(专利权)人: | 联胜光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种发光二极管的电极接触结构,应用于一发光二极管,该发光二极管包含依序堆叠的多个N型电极、一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层、一反射层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极,且该N型半导体层形成有一不规则表面,其中该N型半导体层形成多个接触平台,该多个接触平台具一图案分布的设置于该N型半导体层上,且该不规则表面形成于该N型半导体层不具该多个接触平台的区域,并该多个N型电极分别形成于该多个接触平台上,据此本发明通过该多个接触平台提供平坦界面,让该多个N型电极形成于该多个接触平台上时,不会产生空隙,故可维持良好的电性接触,同时可避免分子旋键拘限载子,而提高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 电极 接触 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管的电极接触结构,应用于一发光二极管,该发光二极管包含依序堆叠的多个N型电极、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一反射层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极,且该N型半导体层形成有一不规则表面,其特征在于,该N型半导体层形成多个接触平台,该多个接触平台具有一图案分布的设置于该N型半导体层上,且该不规则表面形成于该N型半导体层不具该多个接触平台的区域,并该多个N型电极分别形成于该多个接触平台上。
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