[发明专利]一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210135944.0 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102637591A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;徐华;徐苗;陶洪;邹建华;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法，用于实现在氧化物半导体上使用湿刻蚀法直接刻蚀金属的电极。本发明实施例方法包括：在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层；使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 电极 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法，其特征在于，包括：在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层；使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
