[发明专利]一种形成多层台阶结构的工艺路线

摘要

本发明公开一种形成多层台阶结构的工艺路线，S1：在衬底上淀积一第一介电层，在第一介电层上淀积金属层，然后，在第一介电层和金属层上依次沉积一刻蚀停止层和第二介电层；S2：在第二介电层中开设第一通孔；S3：在第一通孔和第二介电层表面覆盖一抗反射层，并在抗反射层表面进行光刻胶；S4：在抗反射层中开设第二通孔；S5：在第二通孔中覆盖一抗反射层，并在抗反射层表面进行光刻胶，同时，循环S4和S5若干次；S6：去除覆盖的抗反射层；S7：刻蚀第一通孔和第二通孔直至第一介电层；S8：在第一通孔、第二通孔和第二介电层表面依次沉积金属下极板、介电质和金属上极板。通过引入台阶形结构，能够有效地提高单位体积内的电容面积，从而提高电容密度。

主权项

一种形成多层台阶结构的工艺路线，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底上淀积一第一介电层，在所述第一介电层上淀积金属层，然后，在所述第一介电层和所述金属层上依次沉积一刻蚀停止层和第二介电层；S2：在所述第二介电层中开设第一通孔；S3：在所述第一通孔和所述第二介电层表面覆盖一抗反射层，并在所述抗反射层表面进行光刻胶；S4：在所述抗反射层中开设第二通孔；S5：在所述第二通孔中覆盖一抗反射层，并在所述抗反射层表面进行光刻胶，同时，循环S4和S5若干次；S6：去除覆盖的所述抗反射层；S7：刻蚀所述第一通孔和所述第二通孔直至所述第一介电层；S8：在所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第二介电层表面依次沉积金属下极板、介电质和金属上极板；S9：对所述金属下极板、所述介电质和所述金属上极板进行化学研磨，形成多层台阶结构电容器。