[发明专利]一种立式原子层沉积设备无效
| 申请号： | 201210136078.7 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102618848A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘传钦;屈芙蓉;李超波 | 申请（专利权）人： | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖区凌*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立式原子层沉积设备，属于原子层沉积设备技术领域。该设备包括主腔室和送片机构，送片机构设置于主腔室的外部，送片机构将硅片从主腔室外部送入到主腔室内部。该设备避免了由于送片机构的导轨磨损产生金属碎末而对成片质量造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立式 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种立式原子层沉积设备，包括主腔室和送片机构，其特征在于，所述送片机构设置于所述主腔室的外部，所述送片机构将硅片从所述主腔室外部送入到所述主腔室内部。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
