[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列面板在审
| 申请号： | 201210138016.X | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102916050A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李镕守;姜闰浩;柳世桓;张宗燮 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括：基板；栅电极，设置在基板上；半导体层，设置在基板上并部分地交叠栅电极；源电极和漏电极，关于半导体层的沟道区彼此间隔开；绝缘层，设置在栅电极与半导体层之间；和阻挡层，设置在半导体层与源电极之间以及半导体层与漏电极之间，其中阻挡层包括石墨烯。基于用于半导体层的材料的类型提供欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；栅电极，设置在所述基板上；半导体层，设置在所述基板上，所述半导体层具有沟道区；源电极和漏电极，关于所述半导体层的所述沟道区彼此间隔开；绝缘层，设置在所述栅电极与所述半导体层之间；和阻挡层，设置在所述半导体层与所述源电极之间以及所述半导体层与所述漏电极之间，其中所述阻挡层包括石墨烯。
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