[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210138067.2 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102779854A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 肥塚纯一;山出直人;吉冈杏子;佐藤裕平;寺岛真理 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：形成非晶氧化物半导体层；在所述非晶氧化物半导体层上以与其接触的方式形成栅极绝缘层；对所述非晶氧化物半导体层注入氧，以使所述非晶氧化物半导体层包括具有超过化学计量的氧的区域；在所述栅极绝缘层上形成栅电极；以及在所述栅电极上形成绝缘层，该绝缘层包括氧化铝。
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