[发明专利]一种栅极补偿隔离区刻蚀方法无效
| 申请号： | 201210138191.9 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102637588A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种栅极补偿隔离区刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的氧化层；进行第一刻蚀过程，所述第一刻蚀过程刻蚀所述氧化层，直到光学发生干涉仪确定刻蚀终点，即被刻蚀的所述氧化层达到预定厚度；进行第二刻蚀过程，所述第二刻蚀过程去除所述栅极结构顶部和半导体衬底上空旷区的氧化层，保留所述栅极结构侧壁的氧化层，形成栅极补偿隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 补偿 隔离 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极补偿隔离区刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的氧化层；进行第一刻蚀过程，所述第一刻蚀过程刻蚀所述氧化层，直到光学发生干涉仪确定刻蚀终点，即被刻蚀的所述氧化层达到预定厚度；进行第二刻蚀过程，所述第二刻蚀过程去除所述栅极结构顶部和半导体衬底上空旷区的氧化层，保留所述栅极结构侧壁的氧化层，形成栅极补偿隔离区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210138191.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轮毂螺栓的压装工装设备
- 下一篇：卷曲式便携吸管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
