[发明专利]背面接触硅太阳能电池方法及含背面接触的硅太阳能电池

摘要

本发明提供一种用于背面接触硅太阳能电池的方法以及含此背面接触的硅太阳能电池。该方法包括：当背面接触硅太阳能电池时，铝被沉积在预处理硅太阳能电池本体的背面表面上，其中无铝区域保持在所述背面表面上。接着，适于焊接的无银层被沉积在所述硅太阳能电池本体的所述背面表面上，所述无银层以非接触方式提供给铝，所述适于焊接的所述无银层至少覆盖所述背面表面上的所述无铝区域。

主权项

一种用于接触硅太阳能电池的方法，包括下列步骤：提供具有前面及背面的预处理硅基板；在所述预处理硅基板的所述背面上沉积铝，其中无铝区域保持在所述背面；以及沉积适于在所述硅基板的所述背面上焊接的无银层，使得适于焊接的所述无银层至少覆盖所述背面上的所述无铝区域。