[发明专利]边缘安装的传感器无效
| 申请号： | 201210139177.0 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102680735A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | M·福斯特 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01P15/00 | 分类号： | G01P15/00;G01P15/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及边缘安装的传感器。传感器组件和制造用于侧面安装在电路板上的传感器装置组件的方法。在硅机械层(25)中的一个或多个传感器装置被夹在第一和第二玻璃层(24、26)之间以建立晶片。一个或多个第一通路(30)建立在第一或第二层中以暴露硅机械层的预定于区域。一个或多个第二通路(102)建立在第一或第二层中。最少一个第二通路的深度尺寸小于第一通路的深度尺寸。金属径迹(70、72)被施加在机械层上的暴露区域和第二通路的一部分之间。晶片被切分从而第二通路被分成两段，由此建立传感器裸芯。传感器裸芯此后在被切分的第二通路处被电地且机械地结合到电路板。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 安装 传感器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在硅机械层(25)中建立至少一个传感器装置，该硅机械层结合到第一玻璃层(24)；将第二玻璃层(26)附接到硅机械层以建立晶片；在第一或第二玻璃层的至少一个中建立至少一个第一通路(30)以暴露硅机械层表面上的预定义区域；在第一或第二玻璃层的至少一个中建立至少一个第二通路(30)，所述至少一个第二通路的深度尺寸小于所述至少一个第一通路的深度尺寸；在硅机械层上的暴露区域和所述至少一个第二通路的至少一部分之间施加金属径迹(70、72)；将所述晶片切分从而所述至少一个第二通路被分成两段，由此建立第一传感器裸芯；并且将所切分的传感器裸芯中的第一个在被切分的第二通路的壁的其余部分的一部分处电地且机械地结合到电路板。
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