[发明专利]异质结太阳能电池结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种异质结太阳能电池结构及其制作方法，该电池结构为在非晶硅层上制作TCO/Ag/TCO透明导电膜，其制作方法为在P型硅片基材背面依次制作二氧化硅层、氮化硅层、铝层，随后采用激光烧结在硅片基材背面打孔，然后在300℃～400℃纯氮气下退火；翻转硅片，在硅片的正面沉积本征非晶硅层,然后再沉积n+非晶硅层,之后采用磁控溅射沉积TCO、Ag层、TCO，形成TCO/Ag/TCO透明导电膜，然后在320℃～450℃温度范围内，氮气和氢气混合气氛下退火10～30分钟。本发明的有益效果是：通过在TCO层加入银层，有利于降低电池电阻率，降低串联电阻，提高短路电流。加入二氧化硅层主要是提高背钝化，减少复合速度。在沉积形成透明导电膜后退火可以提高透光率，降低电阻。

主权项

一种异质结太阳能电池结构,包括硅片基材，在硅片基材的受光面具有用于形成异质结的非晶硅层，在所述的非晶硅层上具有透明导电膜，透明导电膜上制作栅线，其特征是：所述的透明导电膜为TCO/Ag/TCO透明导电膜，在所述的硅片基材的背光面依次设置二氧化硅层、氮化硅层和铝层，铝层为最外层。