[发明专利]绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法

摘要

本发明涉及一种SOI MOS器件动态击穿电压的测试方法，包括先后对漏极施加逐渐递增的漏极电压循环进行击穿测试的步骤，其中击穿测试包括：步骤A，对栅极施加电压Vg，量测漏极电流；步骤B，判断当前漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上，若是，则将当前漏极电压作为动态击穿电压进行记录，结束测试；否则执行步骤C；步骤C，判断当前漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下，若是，则将当前漏极电压作为烧毁电压进行记录，结束测试；否则执行步骤D；步骤D，判断Vg是否达到上限，若是，则进入下一漏极电压下的击穿测试循环，否则将当前Vg增大后返回步骤A。本发明能够准确测得烧毁电压，准确地反映器件对电压的承受能力。

主权项

一种绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法，包括先后对所述MOS器件的漏极施加漏极电压Vd1、Vd2、Vd3、......、Vdmax循环进行击穿测试的步骤，其中Vd1、Vd2、Vd3、......、Vdmax逐渐递增，所述击穿测试包括下列步骤：步骤A，对所述MOS器件的栅极施加电压Vg，量测所述MOS器件的漏极电流；步骤B，判断当前的漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上，若是，则将当前施加的所述漏极电压作为动态击穿电压进行记录，结束测试；否则执行步骤C；步骤C，判断所述当前的漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下，若是，则将当前施加的所述漏极电压作为烧毁电压进行记录，结束测试；否则执行步骤D；步骤D，判断Vg是否达到测试值上限，若是，则跳出当前漏极电压下的击穿测试循环，进入下一漏极电压下的击穿测试循环，否则将当前的Vg增大后返回步骤A；所述第一漏极电流前值是指前一漏极电压下的、且Vg与当前相同时测得的漏极电流，所述第二漏极电流前值是指前一Vg下的漏极电流。