[发明专利]一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法有效

专利信息
申请号: 201210141649.6 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102674316A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 魏飞;赵梦强;张强;田桂丽 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;C01B31/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,该复合物由碳纳米管和石墨烯材料组成,碳纳米管直接生长在石墨烯的表面。其制备方法是以负载有催化剂活性组分的片层材料为催化剂,通过化学气相沉积过程,在片层材料上沉积碳纳米管和石墨烯,通过纯化之后,获得碳纳米管和石墨烯的复合物。本发明丰富了纳米碳材料的种类,且该方法容易工程放大,实现批量生产,进而推进碳纳米管和石墨烯复合物的应用研究。
搜索关键词: 一种 基于 材料 制备 纳米 石墨 复合物 方法
【主权项】:
一种基于片层材料制备碳纳米管和石墨烯复合物的方法,其特征在于该方法按如下步骤进行:1)将负载有催化剂活性组分的片层材料作为催化剂,所述催化剂的活性组分为Fe、Co、Ni、Cu、Mo或W,其含量占催化剂质量的0.1%~50%;2)将该催化剂置于反应器中,通过化学气相沉积过程,在催化剂的表面上沉积碳纳米管和石墨烯,然后将所得的产物置于产物纯化装置中进行提纯,得到碳纳米管和石墨烯复合物,碳纳米管和石墨烯复合物中碳纳米管直接生长在石墨烯的表面上。
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