[发明专利]双面图形化透明导电膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210141850.4 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102708946A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 高育龙;崔铮 | 申请（专利权）人： | 崔铮 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 高松 |
| 地址： | 英国牛津阿*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双面图形化透明导电膜及其制备方法，该双面图形化透明导电膜包括上表面导电层和下表面导电层，所述双面图形化透明导电膜的上表面导电层是图形化的沟槽网络，所述的下表面导电层是全表面的沟槽网络；所述的上表面导电层的沟槽中均填充有导电材料；所述的下表面导电层沟槽中间断填充导电材料。本发明所提供的双面图形化透明导电膜具有高分辨率，透过率和方阻独立可调等诸多优点；这种透明导电膜可以省去一张PET的成本；制备方法对于单张柔性基材的双面压印不需要对准，方法简单，成本低，适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 图形 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双面图形化透明导电膜，包括上表面导电层和下表面导电层，其特征在于，所述双面图形化透明导电膜的上表面导电层是图形化的沟槽网络，所述的下表面导电层是全表面的沟槽网络；所述的上表面导电层的沟槽中均填充有导电材料；所述的下表面导电层沟槽中间断填充导电材料。
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