[发明专利]检测特定缺陷的方法和用于检测特定缺陷的系统和程序有效
申请号: | 201210142371.4 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102738029A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 船田毅 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;李家麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及检测特定缺陷的方法和用于检测特定缺陷的系统和程序。本发明提供一种允许更可靠地检测晶片表面上出现的特定缺陷的检测方法。本发明的一种检测特定缺陷的方法包括以下步骤:通过利用光照射晶片的表面来获取光点图(S101),该光点图是在对应于晶片表面上的缺陷的位置检测到的光点的平面内位置信息;指定确定区域和参考区域,在确定区域中预计将形成特定缺陷,而参考区域是在光点图中除确定区域以外的给定区域,并计算确定区域的光点密度与参考区域的光点密度的比(S102);以及基于计算的比来确定是否形成了特定缺陷(S103)。 | ||
搜索关键词: | 检测 特定 缺陷 方法 用于 系统 程序 | ||
【主权项】:
一种检测特定缺陷的方法,包括以下步骤:通过利用光照射晶片的表面来获取光点图,所述光点图是在对应于所述晶片的表面上的缺陷的位置检测到的光点的平面内位置信息;指定确定区域和参考区域,在所述确定区域中预计将形成特定缺陷,而参考区域是在所述光点图中除所述确定区域以外的给定区域,并计算所述确定区域的光点密度与所述参考区域的光点密度的比;以及基于计算的比来确定是否形成了所述特定缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造