[发明专利]一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路有效
| 申请号： | 201210142541.9 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102638248A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杭国强;周选昌;吴剑钟;胡晓慧;杨旸;章丹艳 | 申请（专利权）人： | 浙江大学城市学院 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310015 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路，包括具有回差特性的阈0.5反相运算和阈0.5运算电路部分11，具有回差特性的阈1.5反相运算和阈1.5运算电路部分12，具有回差特性的阈2.5反相运算和阈2.5运算电路部分13，四值信号传输控制电路部分14。本发明完全基于标准的双层多晶硅CMOS工艺，并且四值施密特电路中的三个回差电压值可以通过改变电容耦合系数比来调整。采用具有独立浮栅结构的互补神经元MOS管方案，保证了电路具有低功耗和高噪声容限的特点。此外,由于采用神经元MOS管设计的阈运算及其反相电路容易实现对阈值的控制，这使得所提出的四值施密特电路具有简单的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 神经元 mos 电压 型四值 施密特触发器 电路 | ||
【主权项】：
一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路；其特征是：所述基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路包括阈0.5电路（11）、阈1.5电路（12）、阈2.5电路（13）和四值信号传输控制电路（14）；所述阈0.5电路（11）分别连接有电源VDD、电源V2以及输入信号端Vin；所述阈1.5电路（12）分别连接有电源VDD、电源V2、电源V1以及输入信号端Vin；所述阈2.5电路（13）分别连接有电源VDD、电源V1以及输入信号端Vin；所述四值信号传输控制电路（14）分别连接有电源VDD、电源V1、电源V2以及输出信号端Vout；所述阈0.5电路（11）、阈1.5电路（12）以及阈2.5电路（13）分别与四值信号传输控制电路（14）相连接。
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