[发明专利]低K介质阻挡层及其形成方法有效
| 申请号： | 201210142983.3 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390577A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低K介质阻挡层及其形成方法，在形成低K介质阻挡层之前，先利用预处理气体对衬底进行等离子体工艺预处理，所述预处理气体包括：碳氢气体及惰性气体，由此，可在衬底(即在低K介质层)表面形成一层含碳(C)保护膜，以避免后续形成低K介质阻挡层时对低K介质层的损伤。此外，由于利用了预处理气体对衬底进行等离子体工艺预处理，在形成低K介质阻挡层时，器件将处于充满预处理气体的氛围中，此时，即使产生氧离子，也将在一定程度上对氧离子进行稀释，即避免了氧离子对于低K介质层的损伤。最终，提高了半导体工艺的可靠性及所形成的器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 阻挡 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有低K介质层的衬底；利用预处理气体对所述衬底进行等离子体工艺预处理，所述预处理气体包括：碳氢气体及惰性气体；在经过等离子体工艺预处理的衬底上形成低K介质阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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