[发明专利]一种PN结的扩散方法无效
| 申请号： | 201210143416.X | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637778A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 马桂艳;宋连胜;田世雄;张东升 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PN结的扩散方法，包括：在硅片表面形成氧化层；提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。由于本发明所提供的PN结的扩散方法，首先在硅片表面形成氧化层；然后提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。如此磷原子透过氧化层向硅片内部扩散的扩散方法，可以降低硅片表面杂质浓度，减少高浓度浅结磷扩散对硅片表面带来的晶格损伤，进而提高电池片的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种PN结的扩散方法，其特征在于，包括：在硅片表面形成氧化层；提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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