[发明专利]提高存储器可靠性的方法以及闪存操作方法在审

专利信息
申请号: 201210143456.4 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102708927A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 肖军;黄碧;孔蔚然 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种提高存储器可靠性的方法以及闪存操作方法。根据本发明的提高存储器可靠性的方法包括:记录坏扇区地址,并且为坏扇区分配用于替换的冗余扇区;利用校验和纠错码对存储器的扇区进行读取或编程;判断当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是否是被记录的坏扇区地址;如果打算当前读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对用于替换与被记录的坏扇区地址所对应的坏扇区的冗余扇区进行读取或编程。如果打算当前读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对当前读取或编程的扇区进行读取或编程。
搜索关键词: 提高 存储器 可靠性 方法 以及 闪存 操作方法
【主权项】:
一种提高存储器可靠性的方法,其特征在于包括:记录坏扇区地址,并且为坏扇区分配用于替换的冗余扇区;利用校验和纠错码对存储器的扇区进行读取或编程;判断当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是否是被记录的坏扇区地址;如果当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对用于替换与被记录的坏扇区地址所对应的坏扇区的冗余扇区进行读取或编程。
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