[发明专利]选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法无效
| 申请号： | 201210143518.1 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102723401A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 包诞文 | 申请（专利权）人： | 山东天信光伏新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人： | 王锡洪 |
| 地址： | 257091 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅太阳电池制造方法，特别涉及一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法。其技术方案是：包括高浓度掺杂扩散、低浓度掺杂扩散，其特征在于：用含磷掺杂剂浆料在晶体硅片正面丝网印刷，印刷区域略大于电极区域，烘干，然后在POCl3气氛中进行掺杂扩散，在含磷掺杂剂浆料印刷区域得到高浓度扩散，其余区域得到低浓度扩散，高浓度、低浓度掺杂扩散一次完成。有益效果是：制造选择性发射极晶体硅太阳电池，只需要在常规晶体硅太阳电池制造工艺中增加一道印刷含磷掺杂剂浆料工序，不需要热氧化生长二氧化硅层等繁复过程，工艺简化、设备投资低、生产成本低，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 发射极 晶体 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法，包括高浓度掺杂扩散、低浓度掺杂扩散，其特征在于：用含磷掺杂剂浆料在晶体硅片正面丝网印刷，印刷区域略大于电极区域，烘干，然后在POCl3气氛中进行掺杂扩散，在含磷掺杂剂浆料印刷区域得到高浓度扩散，其余区域得到低浓度扩散，高浓度、低浓度掺杂扩散一次完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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