[发明专利]一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210144430.1 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103378173B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，通过电荷补偿结构，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；从而可以提高漂移区的杂质的掺杂浓度，极大的降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。本发明还提供一种具有电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为高浓度杂质掺杂第一导电半导体材料构成；电荷补偿结构，位于衬底层之上，为条状第一导电半导体材料和条状第二导电半导体材料交替排列构成，第二导电半导体材料为单晶第二导电半导体材料包裹多晶第二导电半导体材料构成，多晶第二导电半导体材料构成位于沟槽中，单晶第二导电半导体材料临靠沟槽外侧，多晶第二导电半导体材料与第一导电半导体材料不相连；第一导电半导体材料层，位于电荷补偿结构之上和电荷补偿结构与衬底层之间，为第一导电半导体材料构成；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料层上表面。
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