[发明专利]一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，其具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的正向导通或反向阻断特性；本发明还提供了一种具有沟槽结构肖特基半导体装置的制备方法。

主权项

一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽底部和侧壁下部表面有绝缘层，沟槽侧壁上部表面没有绝缘层，具有绝缘层的沟槽内填充有介质材料；多个电荷补偿区，位于沟槽之间，其中沟槽之间的单个电荷补偿区由单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料排列构成，单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料都临靠沟槽，电荷补偿区半导体材料的上表面覆盖绝缘材料；肖特基势垒结，位于沟槽侧壁上部表面。