[发明专利]确定半导体材料中电荷俘获中心的方法无效
| 申请号： | 201210145722.7 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103389390A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘朋;王振中;李超 | 申请（专利权）人： | 无锡派腾微纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/00 | 分类号： | G01Q60/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214174 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种确定半导体材料中电荷俘获中心的方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料表面形成源极和漏极结构；金属探针作为可以移动的栅极；通过改变探针的位置来改变俘获中心所俘获的电子数目；通过在平行于半导体材料表面的平面扫描金属探针，获得栅极电流随金属探针位置变化的图像，进而确定电子俘获中心的位置。通过本发明所提供的方法，可以确定半导体材料中电子俘获中心的位置和分布密度。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 半导体材料 电荷 俘获 中心 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体材料中确定电荷俘获中心的方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料表面形成源极和漏极结构；以金属探针作为可以移动的栅极；其特征还包括：通过改变探针的位置来改变俘获中心所俘获的电子数目；通过在平行于半导体材料表面的平面扫描金属探针，获得栅极电流随金属探针位置变化的图像；确定电子俘获中心的分布位置和密度。
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