[发明专利]一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺无效
| 申请号： | 201210147521.0 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102659178A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李贵生;张鹏;张蝶青;李和兴 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 张美娟 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，包括如下步骤：（1）将钛的前驱体一起溶于溶剂A中得到溶液B；（2）将溶液B在40°C下陈化2d；（3）将陈化后得到的产物通过超临界萃取技术处理，得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。本发明的优点是：1、制备过程简便、反应条件可控性强、合成时间短且合成过程中不需要引入其它复合半导体或掺杂有可见光响应的元素，反应后无需再处理。2、所制得的催化剂具有很好的结晶度，且具有明显的单晶衍射。在环境治理、光解水产氢、染料敏化太阳能电池、光电材料等方面有着潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 001 暴露 有氧 缺陷 可见光 氧化 纳米 合成 工艺 | ||
【主权项】：
一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺，其特征在于：包括如下步骤：（1）将钛的前驱体一起溶于溶剂A中得到溶液B；（2）将溶液B在40°C下陈化2d；（3）将陈化后得到的产物通过超临界萃取技术处理，得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。
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