[发明专利]光刻胶层去除方法及刻蚀装置无效
| 申请号： | 201210149359.6 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426748A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何永根;袁竹根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻胶层的去除方法及刻蚀装置，其中所述光刻胶层的去除方法，包括：提供至少一个晶圆，在所述至少一个晶圆上形成有光刻胶层，所述光刻胶层作为离子注入时的掩膜，离子注入时，所述光刻胶中注入有高剂量离子；对所述至少一个晶圆进行浸泡刻蚀，去除部分光刻胶层；对所述至少一个晶圆中的一个晶圆进行单晶圆旋转刻蚀，去除剩余的光刻胶层。对于高剂量注入的光刻胶层，先对其浸泡刻蚀，去除部分的光刻胶层，然后对其进行单晶圆旋转刻蚀，可以减少单晶圆旋转刻蚀过程中的刻蚀时间，从而减小了单晶圆旋转刻蚀过程中刻蚀溶液的使用量，节约了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种光刻胶层的去除方法，其特征在于，包括：提供至少一个晶圆，在所述至少一个晶圆上形成有光刻胶层，所述光刻胶层作为离子注入时的掩膜，离子注入时，所述光刻胶中注入有高剂量离子；对所述至少一个晶圆进行浸泡刻蚀，去除部分光刻胶层；对所述至少一个晶圆中的一个晶圆进行单晶圆旋转刻蚀，去除剩余的光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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