[发明专利]负极材料、其制造方法、非水电解质二次电池及其用负极无效
| 申请号： | 201210150342.2 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102903912A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 守上英寿;岸见光浩;大矢正幸 | 申请（专利权）人： | 日立麦克赛尔能源株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/13 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够将Si系材料用于负极活性物质并能够抑制在内部的气体产生的非水电解质二次电池、能够构成该电池的负极材料及非水电解质二次电池用负极、以及所述负极材料的制造方法。本发明的负极材料用于非水电解质二次电池的负极，其特征在于，将构成元素中含有Si和O的材料（其中，O相对于Si的原子比x为0.5≤x≤1.5）作为活性物质，并且在X射线衍射光谱中，具有源自Li2SiF6的衍射峰。另外，本发明的非水电解质二次电池用负极的特征在于具有含有本发明的负极材料的负极合剂层，本发明的非水电解质二次电池的特征在于具有本发明的非水电解质二次电池用负极。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 材料 制造 方法 水电 二次 电池 及其 | ||
【主权项】：
一种负极材料，其是用于非水电解质二次电池的负极的负极材料，其特征在于，将构成元素中含有Si和O的材料作为活性物质，并且在X射线衍射光谱中，具有源自Li2SiF6的衍射峰，所述构成元素中含有Si和O的材料中，O相对于Si的原子比x为0.5≤x≤1.5。
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