[发明专利]铁电薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201210151102.4 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102790169A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 渡边敏昭;樱井英章;曽山信幸;土井利浩 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L21/24;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不设置晶种层、缓冲层，就能够简便地得到晶体取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜的铁电薄膜的制造方法。通过在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜，该该制造方法中，铁电薄膜包含晶体取向被择优控制为（100）面的取向控制层，将取向控制层的结晶后的层厚设在35nm～150nm的范围内来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铁电薄膜的制造方法，是在具有基板主体和晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，涂布并预烧铁电薄膜形成用组合物之后，进行烧结使其结晶，从而在所述下部电极上制造铁电薄膜的方法，其特征在于，在所述下部电极上涂布、预烧、烧结所述铁电薄膜形成用组合物形成取向控制层，以所述取向控制层的结晶后的层厚在35nm～150nm的范围内的方式设定所述铁电薄膜形成用组合物的涂布量，并使所述取向控制层的择优晶体取向为（100）面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210151102.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
