[发明专利]薄膜晶体管和显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201210152817.1 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN102856388A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 孙榕德;李基龙;徐晋旭;郑珉在;李卓泳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开薄膜晶体管和显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括:位于基板上并且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶的有源层;有源层的一部分上的栅极绝缘层图案;栅极绝缘层图案的一部分上的栅电极;形成在栅极绝缘层图案上以覆盖栅电极的抗刻蚀层图案,抗刻蚀层图案与栅极绝缘层图案共边界;有源层和抗刻蚀层图案上的源电极和漏电极;以及位于有源层与源电极和漏电极之间以及抗刻蚀层图案与源电极和漏电极之间的吸杂层图案,以除去为有源层的结晶而使用的金属催化剂,吸杂层图案与源电极和漏电极共边界。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:有源层,位于基板上且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶;栅极绝缘层图案,位于所述有源层的一部分上;栅电极,位于所述栅极绝缘层图案的一部分上;抗刻蚀层图案,形成在所述栅极绝缘层图案上以覆盖所述栅电极,所述抗刻蚀层图案与所述栅极绝缘层图案共边界;源电极和漏电极,位于所述有源层和所述抗刻蚀层图案上;以及吸杂层图案,位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间以及所述抗刻蚀层图案与所述源电极和漏电极之间,以除去为所述有源层的结晶而使用的所述金属催化剂,所述吸杂层图案与所述源电极和所述漏电极共边界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210152817.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在平面化过程中保护磁位的方法
- 下一篇:可重新配置的逻辑器件
- 同类专利
- 专利分类